[发明专利]一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法

摘要

一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法，属于传感器领域，本发明为解决现有硅微谐振式压力传感器制作技术存在的问题。本发明包括下层硅片和上层硅片，下层硅片和上层硅片通过BCB胶键合；下层硅片上设置有谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘；谐振梁的上表面设置有下层激励电极和压敏电阻，下层激励电极和压敏电阻的引线均通过下层引线焊盘引出；压力敏感膜片设置在谐振梁所在谐振腔的底部；上层硅片上设置有上层引线焊盘和上层激励电极；上层激励电极设置在上层硅片下表面的凹槽内；上层激励电极的引线通过上层引线焊盘引出；下层硅片选用N型（111）硅片；上层硅片N型（100）硅片。

主权项

一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器，其特征在于，它包括下层硅片（1）和上层硅片（2），下层硅片（1）和上层硅片（2）通过BCB胶键合为一个整体；下层硅片（1）上设置有谐振梁（1‑1）、压力敏感膜片（1‑2）、下层激励电极（1‑3）、压敏电阻（1‑4）和下层引线焊盘（1‑5）；谐振梁（1‑1）的上表面设置有下层激励电极（1‑3）和压敏电阻（1‑4），下层激励电极（1‑3）和压敏电阻（1‑4）的引线均通过下层引线焊盘（1‑5）引出；压力敏感膜片（1‑2）设置在谐振梁（1‑1）所在谐振腔的底部；上层硅片（2）上设置有上层引线焊盘（2‑1）和上层激励电极（2‑2）；上层激励电极（2‑2）设置在上层硅片（2）下表面的凹槽内；上层激励电极（2‑2）的引线通过上层引线焊盘（2‑1）引出；下层引线焊盘（1‑5）和上层引线焊盘（2‑1）暴露接触外界；上层硅片（2）下表面的凹槽与谐振梁（1‑1）所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极（1‑3）与上层激励电极（2‑2）的位置相对设置；下层硅片（1）选用N型（111）硅片；上层硅片（2）选用N型（100）硅片。