[发明专利]用于铜片预氧化的陶瓷支架有效
| 申请号： | 201310595905.3 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103632983B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 祝林;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明用于铜片预氧化的陶瓷支架，陶瓷片本体，在陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部；铜箔，铜箔贴合在陶瓷片本体及陶瓷折弯部的内表面，铜箔的中心线与陶瓷片本体与陶瓷折弯部连接处的折痕重合。陶瓷折弯部垂直于陶瓷片本体。陶瓷片本体及陶瓷折弯部的厚度为0.635毫米。铜箔的厚度为0.1毫米～0.4毫米。本发明用于铜片预氧化的陶瓷支架将铜片直接放在传送带上单面预氧化改为将铜片放在支架上氧化，使铜片与传送带之间有一定悬空度，保证了氧气的流动顺畅，使得铜片双面氧化均匀。改善了产品烧结后表面晶粒状态，粗糙度均匀。本发明用于铜片预氧化的陶瓷支架采用Al2O3的陶瓷片和铜箔作为治具的制作材料，用DBC方法进行制作，治具结构简单、耐用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 铜片 氧化 陶瓷 支架 | ||
【主权项】：
用于铜片预氧化的陶瓷支架，其特征在于，包括：陶瓷片本体，在所述陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部；铜箔，所述铜箔贴合在所述陶瓷片本体及所述陶瓷折弯部的内表面，所述铜箔的中心线与所述陶瓷片本体与所述陶瓷折弯部连接处的折痕重合；所述陶瓷折弯部垂直于所述陶瓷片本体；所述陶瓷片本体及所述陶瓷折弯部的厚度为0.635毫米；所述铜箔的厚度为0.1毫米～0.4毫米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海申和热磁电子有限公司，未经上海申和热磁电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310595905.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于自适应色度梳状滤波器的CVBS解码器
- 下一篇：一种污水处理反应池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
