[发明专利]一种R-Fe-B类烧结磁体的制造方法

摘要

本发明专利公开了一种R‑Fe‑B类烧结磁体的制造方法。其主要步骤包括：准备R₁‑Fe‑B‑M类烧结磁体作为基体。在基体表面布置轻稀土元素的RLO颗粒层,在RLO颗粒层上布置包括金属镝、氢化镝的至少一种重稀土RHX。在烧结炉内加热处理，使重稀土RHX透过RLO颗粒层蒸发至基体表面，并从表面扩散至磁体内部，在整个过程中RLO颗粒层作为传输介质，不与重稀土元素反应。本发明通过在磁体与重稀土RHX之间布置轻稀土元素的氧化物、氟化物的RLO颗粒层，一方面实现磁体与重稀土RHX的非直接接触，另一方面阻缓重稀土RHX蒸汽的扩散过程，防止重稀土RHX蒸汽过量蒸发至磁体表面。

主权项

一种R‑Fe‑B类烧结磁体的制造方法，包括：1）制备R₁‑Fe‑B‑M烧结磁体，其中，R₁选自稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、La、Gd、Ho中任意一种或几种，R₁含量为27～34wt%；B含量为0.8～1.3wt%；M选自Ti、V、Cr、Mn、Co、Ga、Cu、Si、Al、Zr、Nb、W、Mo中的任意一种或几种，含量0～5wt%；余量为Fe；2）将所述烧结磁体依次采用酸溶液、去离子水洗涤，干燥处理，得到受处理磁体；3）在所述受处理磁体表面布置RLO颗粒层，在RLO颗粒层上布置重稀土RHX层,其中：所述RLO颗粒为镧、铈、钕、镨的氧化物、氟化物的任意一种的颗粒或几种的混合,所述RLO颗粒粒径为0.1～3mm，所述RLO颗粒层厚度为0.1～15mm；所述重稀土RHX为金属镝、氢化镝的至少一种；受处理磁体、RLO颗粒层及重稀土RHX层形成受处理单元；4）将3）中所述受处理单元置于料盒内在真空或惰性气体保护条件下进行热处理；烧结温度最高为970℃，烧结保温时间0.5～48小时；在最高温度保温过程结束后，对磁体进行时效处理，时效温度控制在430～650℃范围内，时效时间为2～10小时。