[发明专利]光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法在审
申请号: | 201310596199.4 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103558739A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 杨彦涛;江宇雷;钟荣祥;崔小锋;吴继文;袁媛 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;H01L21/027 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法,利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除,同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法,以解决现有技术中,正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳,不仅无法达到去胶效果,还给返工工艺带来风险的问题。进一步的,在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化,去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效,在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法,可避免由于光刻胶残留导致的重复返工、产品报废的风险。特别的,在光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中,对曝光对准系统没有精度要求,从而使得工艺简便。 | ||
搜索关键词: | 光刻 去除 方法 工艺 返工 | ||
【主权项】:
一种光刻胶去除方法,其特征在于,包括:步骤10:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有介质层和/或金属层,所述介质层或金属层上形成有正性光刻胶;步骤11:选择曝光光源对所述正性光刻胶进行曝光;步骤12:对曝光后的正性光刻胶进行显影;步骤13:对介质层或金属层进行清洗及烘烤。
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