[发明专利]苯并[2,1-b: 3,4-b`]二硒吩类聚合物半导体材料及其应用

摘要

发明涉及苯并[2,1-b:3,4-b′]二硒吩的光电聚合物半导体材料及其在有机光伏器件中的应用，其结构通式如通式I所示，本发明的有益成果在于：本发明利用非线性结构的稠环化合物和硒原子在光学带隙和能级结构以及载流子迁移率等光电性质调控的优势，合成了一类基于苯并[2,1-b:3,4-b′]二硒吩类聚合物材料，通过引入不同的给受能力的共聚单体，得到的聚合物材料具有窄的带隙、较高的迁移率以及合适的能级结构。例如，聚合物PBDSe-DTffBT具有较窄的光学带隙为1.74eV，基于此聚合物的电池器件光电转换效率可以达到2.51%。

主权项

1.苯并[2,1-b:3,4-b′]二硒吩类聚合物半导体材料，其结构通式如通式I所示，式中，n为聚合度，为2-100的任一整数，R为H、C₁-C₂₀的烷基、C₁-C₂₀的烷氧基、C₁-C₂₀的酯基、C₁-C₂₀的氨基、C₂-C₂₀的炔基、C₁-C₂₀的氟代烷基、C₁-C₂₀的硫代烷基和上述任一取代的芳基或杂芳基，A为具有不同给受电子能力的芳香共轭单元，为如下所示结构化合物中的一种：式中，R₁为碳原子数为1-20的烷基、烷氧基或H原子，R₂为碳原子数为1-20的烷基或烷氧基，Y为H、F中的任一原子，m为重复单元数，m为1-20的任一整数。