[发明专利]一种半导体平坦化层的制作方法在审
| 申请号： | 201310596947.9 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104658906A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 高印;柯其勇;颜圣佑;陈智冈 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘永军;洪燕 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体平坦化层的制作方法，其中，包括：涂布、烘烤和干燥步骤，是将用于形成平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，然后进行烘烤处理和干燥处理；曝光和显影步骤，是对通过所述涂布、烘烤和干燥步骤处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理；其特征在于，根据要制作的平坦化层所需的涂胶厚度，至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤；并且，至少实施一次的所述曝光步骤和显影步骤。基于本发明能够改善平坦化层锥度角、降低平坦化层的凹割现象、防止导致平坦化层的上层膜断线，从而提升产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 平坦 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体平坦化层的制作方法，其中，包括：涂布、烘烤和干燥步骤，是将用于形成平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，然后进行烘烤处理和干燥处理；曝光和显影步骤，是对通过所述涂布、烘烤和干燥步骤处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理；根据要制作的平坦化层所需的涂胶厚度，至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤；其中至少实施一次的所述曝光步骤和显影步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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