[发明专利]存储器架构与其操作方法有效
| 申请号： | 201310597458.5 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104658600B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李明修;李峰旻;林昱佑 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器架构与其操作方法，操作方法应用于包括一晶体管与一电阻式存储器元件的一电阻式存储单元。该操作方法包括：于一编程操作时，一编程电流通过该晶体管与该电阻式存储器元件，以使得该电阻式存储器元件的一电阻状态由一第一电阻状态改变成一第二电阻状态；以及于一擦除操作时，一擦除电流从该晶体管的一阱区流向该电阻式存储器元件但该擦除电流不流经该晶体管，以使得该电阻式存储器元件的该电阻状态由该第二电阻状态改变成该第一电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 架构 与其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作方法，应用于包括一晶体管与一电阻式存储器元件的一电阻式存储单元，位于同一横列或同一直排的电阻式存储单元的个别晶体管的个别阱区耦接于多条阱信号线中的一阱信号线，各阱信号线垂直或平行于各漏极信号线，各阱信号线以线为单位对晶体管进行控制，该操作方法包括：于一编程操作时，一编程电流通过该晶体管与该电阻式存储器元件，以使得该电阻式存储器元件由一第一电阻状态改变成一第二电阻状态；以及于一擦除操作时，一擦除电流从该晶体管的一阱区流向该电阻式存储器元件但该擦除电流不流经该晶体管，以使得该电阻式存储器元件由该第二电阻状态改变成该第一电阻状态；其中，于该编程操作时，该编程操作具体包括：施加一第一正偏压于该电阻式存储器元件的一第一端；施加一第二正偏压于该晶体管的一控制端；施加一接地电压于该晶体管的一第一端，该晶体管的一第二端耦接于该电阻式存储器元件的一第二端；以及施加该接地电压于该晶体管的一阱端。
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