[发明专利]基于周期性极化铌酸锂的倍频的增强方法有效
| 申请号： | 201310597494.1 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103605248A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈玉萍;李广珍;唐喻斌;张晋平;蒋淏苇;陈险峰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/37 | 分类号： | G02F1/37 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光信息处理技术领域的基于周期性极化铌酸锂的倍频的增强方法，首先对铌酸锂晶体进行室温电场极化，在晶体的+Z面上负畴区域改变电畴极化方向，在晶体的Y向两侧进行真空镀膜溅射电极；然后对晶体进行寻常光照射的同时用高压源给铌酸锂晶体的Y向两侧加电压，通过产生的慢光效应实现寻常光倍频的增强。本发明首创将准相位匹配的技术（QPM）和慢光效应所引起的有效光功率的增大结合起来。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 周期性 极化 铌酸锂 倍频 增强 方法 | ||
【主权项】：
一种基于周期性极化铌酸锂的倍频的增强方法，其特征在于，首先对铌酸锂晶体进行室温电场极化，在晶体的+Z面上负畴区域改变电畴极化方向，在晶体的Y向两侧进行真空镀膜溅射电极；然后对晶体进行寻常光照射的同时用高压源给铌酸锂晶体的Y向两侧加电压，通过产生的慢光效应实现倍频的增强。
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