[发明专利]一种改善硅片均匀度的系统有效
| 申请号： | 201310597796.9 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103762189A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 佟金刚;李阳柏;张传民;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善硅片均匀度的系统，通过将喷酸装置改为水平设置，同时将制程盒旋转方式改为围绕喷酸装置做上下翻转运动，在进行湿法工艺的过程中，喷酸装置向上喷射出雾化的酸性化学药剂，制程盒环绕喷酸装置做上下翻转运动，使得制程盒内放置的各硅片更加均匀的与酸性药剂发生反应，进而改善同一批次中硅片的均匀度，提升了生产工艺，同时在喷酸装置设置的阻挡柱也很好保护了喷酸装置，提高了生产的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 均匀 系统 | ||
【主权项】：
一种改善硅片均匀度的系统，在一反应腔室内对硅片进行处理，位于所述反应腔室内包括有制程盒和喷酸装置，其特征在于，所述制程盒围绕所述喷酸装置做上下旋转运动，以改善硅片表面均匀度；其中，所述制程盒的旋转方向与水平面相垂直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
