[发明专利]高集成度H形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管

摘要

本发明涉及一种高集成度H形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管，采用H形辅控栅电极和栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，在保证降低器件掺杂浓度以提高迁移率，避免高掺杂浓度下随机散射效应增强所导致的器件迁移率及稳定性的下降的同时，利用H形辅控栅电极有效降低了源漏区域的电阻，从而解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，同时采用U形单晶硅作为器件的沟道部分，对比于普通平面结构，在不额外增加芯片面积的前提下，显著增加有效沟道长度以降低器件在深纳米尺度下的短沟道效应，因此适于推广应用。

主权项

一种高集成度H形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底（9），SOI晶圆的硅衬底（9）上方为SOI晶圆的绝缘层（8）；其特征在于：SOI晶圆的绝缘层（8）上方为U形单晶硅（7），U形单晶硅（7）的表面附有栅极绝缘层（5），相邻的U形单晶硅（7）之间通过绝缘介质层（6）隔离；栅极绝缘层（5）表面附有栅电极（4），栅电极（4）上方为H形辅控栅电极（3），H形辅控栅电极（3）与栅电极（4）之间设有绝缘介质层（6），并通过绝缘介质层（6）与栅电极（4）绝缘隔离，U形单晶硅（7）的上表面淀积有绝缘介质层（6），并通过刻蚀工艺刻蚀掉U形单晶硅（7）两端上表面的绝缘介质层（6），并在刻蚀掉的通孔中注入金属分别生成为源电极（1）和漏电极（2）。