[发明专利]一种提高MOCVD外延片均匀性的石墨盘有效
申请号: | 201310598782.9 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103614707A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 李盼盼;李鸿渐;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请(专利权)人: | 扬州中科半导体照明有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种提高MOCVD外延片均匀性的石墨盘,涉及MOCVD外延片生产设备——石墨盘的结构设计。本发明包括大石墨盘和小石墨盘,在大石墨盘上设有通气小孔和连接栓,在小石墨盘中心的背部设置与连接栓适配的支撑凹槽,所述小石墨盘通过支撑凹槽和连接栓的配合布置在大石墨盘上方;在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽;其特征在于在大石墨盘背面开设圆柱形凹槽,所述凹槽和连接栓布置在同一轴线上。本发明补偿了连接栓导热造成的小盘中心局部温度较高的现象,从而改善小石墨盘的温度差异现象,同时使得小石墨盘上中心片槽和边缘片槽的温度达到一致,最终在小盘上获得均匀性很好的外延片。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 mocvd 外延 均匀 石墨 | ||
【主权项】:
一种提高MOCVD外延片均匀性的石墨盘,包括大石墨盘和小石墨盘,在大石墨盘上设有通气小孔和连接栓,在小石墨盘中心的背部设置与连接栓适配的支撑凹槽,所述小石墨盘通过支撑凹槽和连接栓的配合布置在大石墨盘上方;在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽;其特征在于在大石墨盘背面开设圆柱形凹槽,所述凹槽和连接栓布置在同一轴线上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州中科半导体照明有限公司,未经扬州中科半导体照明有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310598782.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的