[发明专利]一种背钝化MWT光伏电池的制造方法在审
申请号: | 201310598917.1 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103618029A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 夏正月;高艳涛;陈同银;刘仁中;董经兵;张斌;邢国强 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种背钝化MWT光伏电池的制造方法,其结合MWT和背钝化工艺,提出一种适于现有光伏电池生产线的制造工艺,以较低的改造成本,制造出效率更高、工艺更为复杂的光伏电池片。 | ||
搜索关键词: | 一种 钝化 mwt 电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背钝化MWT光伏电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将P型硅片依次经过清洗工艺、制绒工艺、扩散工艺;2)再经过背面抛光和磷硅玻璃去除工艺,之后进行清洗;3)硅片背面生长与P型硅片接触的氧化铝层、以及与氧化铝层接触的保护层,从而形成由氧化铝层和保护层组成的叠层膜;4)硅片正面减反射薄膜生长;5)硅片贯穿性钻孔形成贯通孔;6)背面叠层膜开孔,露出P型硅片;7)在硅片背面丝网印刷灌孔电极及电池负极;8)背面印刷铝背场,正面印刷栅线,并烧结形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的