[发明专利]一种高比电容的SnO2/C多孔微球及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310599174.X 申请日: 2013-11-25
公开(公告)号: CN103681004B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 郑明涛;何诚龙;刘应亮;肖勇;董汉武;雷炳富;张浩然;冯濠彬 申请(专利权)人: 华南农业大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/38;H01G11/46;H01M4/139;H01M4/38;H01M4/48
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 林丽明
地址: 510642 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于无机纳米材料制备技术领域,具体公开了一种高比电容的SnO2/C多孔微球及其制备方法。本发明以三苯基醋酸锡、乙醇和氢氧化钾为原料,采用醇热合成‑活化法制备得到SnO2/C多孔微球。得到的SnO2/C多孔微球比电容大、电位窗口宽、循环稳定性好。而且使用的醇热合成‑活化法安全无毒、简便易操作、效率高、成本低,易于工业化应用。
搜索关键词: 一种 电容 sno2 多孔 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高比电容的SnO2/C多孔微球的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.将2~5 g三苯基醋酸锡溶解于50mL无水乙醇中得溶液,将溶液于密闭、高温反应釜中,于500~700 ℃的温度下保持12小时得到黑色产物;S2.对冷却后的黑色产物进行过滤洗涤,于50~80 ℃干燥6~8小时,得到前躯体;S3.将前躯体于惰性气体保护中以2~5 m3/h水蒸气流速在500~700 ℃下加热活化2~4 小时,制得SnO2/C多孔微球;S3所述加热活化的还原气氛由KOH高温活化条件下产生。
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