[发明专利]一种红外线感测芯片在审
申请号: | 201310600772.4 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103617997A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 叶文冠 | 申请(专利权)人: | 叶文冠;绿亚电子(泉州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 傅家强 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外线感测芯片,该红外线感测芯片包含:一晶圆基底、一图案化多晶硅层和一内联机单元。本发明利用材料的选择与结构设计令用以感测红外线的吸收层可以与晶体管单元用同一个集成电路制程一起制作,同时藉由空腔的高度控制令入射的红外线形成共振、提高红外线的吸收效率,在降低制程成本的同时也维持本发明红外线感测芯片的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外线 芯片 | ||
【主权项】:
一种红外线感测芯片,该红外线感测芯片包含:一晶圆基底,由半导体材料构成,包括一顶面,及一相反于该顶面的底面;一图案化多晶硅层,位于晶圆基底的顶面,定义有一晶体管结构区及一红外线吸收区,该晶体管结构区与晶圆基底相配合而形成多个可转换电讯号的晶体管单元,该红外线吸收区包括一主体部及两连接该主体部并分隔设置的电接脚端部,该主体部吸收入射的红外线后产生一电阻变化,并经由电接脚端部与相对应的晶体管单元电连接令该电阻变化透过晶体管单元转换为一电讯号输出;及一内联机单元,位于晶圆基底与图案化多晶硅层上,包括多层成预定电连接配置图案的金属层及一供红外线入射至红外线吸收区的开口,其中一金属层具有一位于主体部正上方的反射区块而与主体部配合界定出一空腔,该空腔与外界连通令红外线能入射至该空腔中,且该反射区块的下表面至红外线吸收区的主体部的上表面的距离为(2n+1)λ/4,且n为正整数或零。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的