[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310600915.1 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104659094A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;杨清尧;廖文毅;苏宏德;张国城 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)元件及其制造方法。其中，LDMOS元件包含：漂移区、隔绝氧化区、第一氧化区、第二氧化区、栅极、本体区、源极、以及漏极。其中，隔绝氧化区、第一氧化区、与第二氧化区于纵向上，分别具有隔绝厚度、第一厚度、与第二厚度，且第二厚度小于第一厚度。本发明利用第一氧化区与第二氧化区，维持LDMOS元件崩溃防护电压并降低导电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含：一漂移区，具有第一导电型，形成于一基板上；一隔绝氧化区，形成于该漂移区上，以定义一操作区；一第一氧化区，形成于该漂移区上的该操作区中；一第二氧化区，形成于该漂移区上的该操作区中，并与该第一氧化区于一横向上连接；一栅极，形成于该漂移区上，由俯视图视之，该栅极位于该操作区中，并覆盖至少部分该第二氧化区及部分该第一氧化区，该栅极包括：一介电层，形成于该漂移区上，并与该第二氧化区于该横向上连接，且该第二氧化区隔开该介电层及该第一氧化区；一堆叠层，形成于该介电层上；以及一间隔层，形成于该堆叠层的一侧壁外；一本体区，具有第二导电型，形成于该漂移区中，且部分该本体区位于该栅极下方；一源极，具有第一导电型，形成于该本体区中，且由俯视图视之，该间隔层介于该源极与该堆叠层之间；以及一漏极，具有第一导电型，形成于该漂移区中，且由俯视图视之，该漏极介于该第一氧化区与该隔绝氧化区之间；其中，该隔绝氧化区、该第一氧化区、与该第二氧化区于一纵向上，分别具有一隔绝厚度、第一厚度、与第二厚度，且该第二厚度小于该第一厚度。
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