[发明专利]一种多层结构透明导电薄膜在审
申请号: | 201310601737.4 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN104659120A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 马鸣晓;唐国彬 | 申请(专利权)人: | 四川融鑫信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种多层结构透明导电薄膜,用于太阳能电池,该透明导电薄膜从下到上依次包括底层、粘接层、中间层和保护层;粘接层为聚氨酯层,厚度为20~30nm;中间层为依次叠加的Bi2O3层,Au层,Bi2O3层,其中Bi2O3层厚度为30~50nm,Au层厚度为20~30nm;保护层为SiO2薄膜,厚度为20~30nm;底层为有机玻璃PMMA层,厚度为20~50μm。本发明的有益效果为:粘接层极大地提高了底层和中间层的结合强度,避免了多层结构透明导电薄膜整体出现出现缺陷或者导致薄膜失效,同时设置保护层用于保护多层结构透明导电薄膜,在太阳能电池技术领域具有极大的实用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 结构 透明 导电 薄膜 | ||
【主权项】:
一种多层结构透明导电薄膜,用于太阳能电池,其特征在于:该透明导电薄膜从下到上依次包括底层、粘接层、中间层和保护层;所述的粘接层为聚氨酯层,厚度为20~30nm;所述的中间层为依次叠加的Bi2O3层,Au层,Bi2O3层,其中Bi2O3层厚度为30~50nm,Au层厚度为20~30nm;所述的保护层为SiO2薄膜,厚度为20~30nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的