[发明专利]清洗装置在审
申请号: | 201310601770.7 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN103855059A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 沟本康隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种清洗装置,在旋转工作台中能对晶片的被清洗面进行擦刷清洗,且防止污染物绕到晶片的背面而造成背面污染。外周保持构件具有:液体蓄积部,其在上表面(21a)蓄积液体而形成液体层(6);液体供给口,其向液体蓄积部上表面供给液体;以及升降部,其选择性地将液体蓄积部定位到作用位置和非作用位置,因此,在清洗晶片(W)时,液体蓄积部被定位于作用位置,形成于液体蓄积部的液体层的上表面(7)为与旋转工作台的上表面(3)相同的高度,由液体层保持晶片外周部(Wc),并能够通过清洗构件来清洗晶片的正面(Wa)。另外,由于晶片的背面(Wb)被液体层密封,所以能够防止污染物绕到背面,能够减低晶片的背面污染。 | ||
搜索关键词: | 清洗 装置 | ||
【主权项】:
一种清洗装置,其特征在于,具有:旋转工作台,其形成为直径比晶片的外径小,该旋转工作台用于将晶片保持在上表面并且该旋转工作台能够旋转;清洗构件,其向保持在上述旋转工作台的上表面上的晶片的被清洗面供给清洗液,来清洗上述晶片的被清洗面;以及外周保持构件,其形成为围绕上述旋转工作台并通过液体层来支撑晶片的外周部,上述外周保持构件具有:液体蓄积部,其在上表面蓄积液体而形成液体层;液体供给口,其向上述液体蓄积部的上表面供给液体;以及升降部,其选择性地将上述液体蓄积部定位到作用位置和非作用位置,在上述作用位置,形成于上述液体蓄积部的上述液体层的上表面被定位于与上述旋转工作台的上表面相同的高度位置,在上述非作用位置,上述液体蓄积部的上表面被定位于比上述旋转工作台的上表面靠下方的位置,在晶片清洗时,上述液体蓄积部被定位于上述作用位置,从上述液体供给口向上述液体蓄积部的上表面供给液体,保持在上述旋转工作台的上表面上的晶片的外周部被形成于上述液体蓄积部的液体层保持,并且通过上述旋转工作台的旋转使晶片旋转,并通过上述清洗构件来进行晶片的被清洗面的清洗,在晶片干燥时,上述液体蓄积部被定位于上述非作用位置,通过使上述旋转工作台高速旋转来进行晶片的被清洗面的干燥。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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