[发明专利]一种低掺杂多孔P型硅纳米线的制备方法在审
| 申请号： | 201310602511.6 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104649273A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 宋智谦;何冬青;盛夏;封心建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其是一种低掺杂多孔P型硅纳米线的制备方法，包括如下步骤：将低掺杂P型硅材料浸入浓硫酸和过氧化氢的混合液中，浸泡后取出，再放入氢氟酸溶液中浸泡后获得第一制材；将所述第一制材移入浓度为5～15mmol/L的金属硝酸盐溶液中，浸泡30～120秒获得第二制材；其中，所述金属硝酸盐溶液的溶剂为2～10wt%氢氟酸水溶液；用水清洗所述第二制材；将经过清洗后的第二制材放入浓度为0.1～0.6mol/L的过氧化氢溶液中，常温下腐蚀2～60分钟后取出，获得第三制材；其中，所述过氧化氢溶液的溶剂为2～10wt%氢氟酸水溶液；将所述第三制材放入硝酸溶液中浸泡1～5小时，即获得所述低掺杂多孔P型硅纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 多孔 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低掺杂多孔P型硅纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将低掺杂P型硅材料浸入浓硫酸和过氧化氢的混合液中，浸泡5～10分钟后取出，再放入2～10wt%的氢氟酸溶液中浸泡1～10分钟后获得第一制材；其中，所述浓硫酸和过氧化氢的混合液中，浓硫酸和过氧化氢的体积比为3:1～4:1；步骤2：将所述第一制材移入浓度为5～15mmol/L的金属硝酸盐水溶液中，浸泡30～120秒，使所述第一制材上沉积金属纳米颗粒后获得第二制材；其中，所述金属硝酸盐溶液的溶剂为2～10wt%氢氟酸水溶液；步骤3：用水清洗所述第二制材；步骤4：将经过步骤3清洗后的第二制材放入浓度为0.1～0.6mol/L的过氧化氢溶液中，常温下腐蚀2～60分钟后取出，获得第三制材；其中，所述过氧化氢溶液的溶剂为2～10wt%氢氟酸水溶液；步骤5：将所述第三制材放入硝酸水溶液中浸泡1～5小时，即获得所述低掺杂多孔P型硅纳米线。
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