[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201310602849.1 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103632998A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 凌复华;刘忆军;吴凤丽;姜崴;葛研;郑旭东 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 发明公开了一种等离子体处理装置，其包括：第一处理腔，具有第一墙及由第一墙包围形成的第一处理空间；第二处理腔，具有第二墙及由第二墙包围形成的第二处理空间；设置于第一处理腔与第二处理腔之间的连接件，第一、第二处理腔可拆卸地连接；气体供应系统以及排气系统，包括连通于所述第一处理空间的第一排气通道及连通于所述第二处理空间的第二排气通道，所述第一排气通道与所述第二排气通道相连通。本发明通过将多个处理腔以可拆卸方式进行连接，在实现两腔环境匹配的同时，降低设备的制造及维修成本。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，包括若干处理单元，其特征在于，所述处理单元包括：第一处理腔，具有第一墙及由所述第一墙包围形成的第一处理空间；第二处理腔，具有第二墙及由所述第二墙包围形成的第二处理空间；设置于所述第一处理腔与所述第二处理腔之间的连接件，所述连接件将所述第一、第二处理腔可拆卸地连接；气体供应系统，包括连通于所述第一处理空间的第一气体分配单元及连通于所述第二处理空间的第二气体分配单元；以及排气系统，包括连通于所述第一处理空间的第一排气通道及连通于所述第二处理空间的第二排气通道，所述第一排气通道与所述第二排气通道相连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
