[发明专利]肖特基二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201310603464.7 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103594524A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 郭广兴;刘宪成;梁厅;丁伯继 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种肖特基二极管，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通过所述外延层相隔离，所述凹槽的深度小于所述保护环的深度。本发明还提供上述肖特基二极管的制作方法。本发明的肖特基二极管能够降低所述肖特基二极管正向压降，并能提高所述肖特基二极管的抗静电能力，提高所述肖特基二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通过所述外延层相隔离，所述凹槽的深度小于所述保护环的深度。
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