[发明专利]掺钕硅酸镓镧自倍频超短脉冲激光器

摘要

本发明提供了一种掺钕硅酸镓镧自倍频超短脉冲激光器。所述自倍频超短脉冲激光器，用于直接输出基频和倍频激光，包括同时作为所述激光器的增益介质和倍频晶体的激光自倍频晶体，所述激光自倍频晶体为Nd离子掺杂的La₃Ga₅SiO₁₄晶体。本发明的激光器具有很好的可操作性与稳定性，结构紧凑小巧、系统简单、成本较低、基频与自倍频超短脉冲激光输出、高重复频率、皮秒量级的脉冲宽度以及高光束质量等优点，可广泛应用于显示、医疗、信息传输、科研等领域，具有很好的应用前景和商业价值。

主权项

1.一种倍频元件，由Nd离子掺杂的La3Ga5SiO14晶体形成，布置于超短脉冲激光器的激光谐振腔中，所述激光谐振腔用于获得振荡激光，所述Nd离子掺杂的La3Ga5SiO14晶体在泵浦激光泵浦下产生激光产生所需的必要粒子数翻转，产生基频光并将部分基频光转换为倍频光，所述基频光和所述倍频光在所述激光谐振腔中振荡，获得稳定的基频和倍频激光输出，其中，所述Nd离子掺杂的La3Ga5SiO14晶体的工作温度为14℃，所述Nd离子掺杂的La3Ga5SiO14晶体的掺杂浓度为1％at。