[发明专利]一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法无效
| 申请号： | 201310605437.3 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103628127A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 苏文佳;左然 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明提供一种定向凝固法准单晶硅生长炉及准单晶硅的生长方法，包括石英坩埚、石墨坩埚、DS块和氩气冷却进口管，石英坩埚内底部开若干籽晶凹槽，在DS块上开氩气冷却孔和氩气流道，该流道最终使氩气沿DS块的四周流入炉体，底部氩气冷却进口管构成底部氩气强制冷却系统。使用该系统时，针对熔料、生长和收尾的不同阶段，控制底部氩气冷却进口管的氩气流量，从而控制籽晶的熔接、固液界面保持水平并略凸以及晶体硅和熔体硅的轴向温度梯度。与现有准单晶生长方法中籽晶铺满石英坩埚底部相比，籽晶用量大大减少，节约成本，准单晶硅的单晶率可达95%以上，大大提高了太阳光伏电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定向 凝固 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种定向凝固法准单晶硅生长炉，包括石英坩埚（4）、石墨坩埚（3）、碳碳复合材料顶部盖板（6）和DS块（2），其特征在于，所述DS块（2）与所述石墨坩埚（3）底面贴合，所述DS块（2）上开有若干氩气冷却通孔（12），所述DS块（2）与所述石墨坩埚（3）贴合的一面上开有氩气流道（13），所述氩气流道（13）与所述各个氩气冷却通孔（12）连通，所述DS块（2）的另一面上安装有氩气冷却进口管（1），所述氩气冷却进口管（1）与所述氩气冷却通孔（12）配合连接；所述石英坩埚（4）底部开有若干籽晶凹槽（11），所述籽晶凹槽（11）的中心轴线与所述氩气冷却通孔（12）的中心轴线共线。
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