[发明专利]一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310605876.4 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103606520A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王进;马子腾;李鸽;孙毅 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/31;H01L21/32 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 王连君 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法，其包括以下步骤：在镀有TaN/TiW/Au金属膜的陶瓷基片上涂覆一层光刻胶，再采用光刻的方法去除所述镀膜陶瓷基片非电路图形部分的光刻胶；将光刻处理的所述镀膜陶瓷基片进行带胶电镀金与电镀镍保护膜，再去除光刻胶；采用光刻的方法涂覆光刻胶保护电路图形刻蚀非图形部分Au/TiW层；再采用光刻的方法在所述镀膜陶瓷基片的图形部分及电路电阻部分涂覆一层光刻胶，刻蚀非光刻胶保护部分的电阻层，形成电路电阻；然后再去除全部光刻胶进行电阻阻值修正，最后腐蚀去掉电镀镍保护膜，得到薄膜电路。增加了电镀镍层及腐蚀镍层的加工步骤，通过电镀镍金属保护膜能够很好的保护金带线不被测试探针损伤，提高了薄膜电路加工的品质及成品率，降低了薄膜电路的制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电路 测试 金属 保护膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电路测试用金属保护膜的制备方法，其包括以下步骤：A、在镀膜的陶瓷基片上涂覆一层光刻胶，再采用光刻的方法去除所述镀膜陶瓷基片非电路图形部分的光刻胶；B、将光刻处理的所述镀膜陶瓷基片进行带胶电镀金与电镀镍保护膜，再去除剩余光刻胶；C、采用光刻的方法涂覆光刻胶保护电路图形刻蚀非图形部分Au/TiW层；D、再在所述镀膜陶瓷基片的图形部分及电路电阻部分涂覆一层光刻胶，刻蚀去除所述镀膜陶瓷基片上非光刻胶保护部分的电阻层，形成电阻；然后再去除全部光刻胶进行阻值修正，最后腐蚀去掉电镀镍保护膜，得到薄膜电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十一研究所，未经中国电子科技集团公司第四十一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310605876.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
