[发明专利]一种具有高并联电阻的晶体硅太阳能电池的镀膜方法有效
| 申请号： | 201310605978.6 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103602961A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 晏海刚;杨广伟;许志卫;郑张安;刘月敏 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/455 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 055550 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高并联电阻的晶体硅太阳能电池的镀膜方法，包括采用管式PECVD沉积减反射膜，管式PECVD镀膜时炉体内温度从炉口到炉尾依次设定为：380~420℃、370~410℃、360~400℃、360~400℃、360~400℃。该方法能解决现有技术中采用管式PECVD镀膜时制得的晶体硅太阳能电池的并联电阻偏低的问题，能提高晶体硅太阳能电池的并联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 并联 电阻 晶体 太阳能电池 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高并联电阻的晶体硅太阳能电池的镀膜方法，包括采用管式PECVD沉积减反射膜，其特征是：管式PECVD镀膜时炉体内温度从炉口到炉尾依次设定为：380~420℃、370~410℃、360~400℃、360~400℃、360~400℃。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
