[发明专利]一种荆芥无土栽培方法有效

专利信息
申请号: 201310606042.5 申请日: 2013-11-22
公开(公告)号: CN103651071A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 权超;陈英华 申请(专利权)人: 天津宜耀科技有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 王来佳
地址: 300350 天津市津南*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种荆芥无土栽培方法,其步骤为:⑴制备无土栽培基质:所述无土栽培基质由草炭土,蛭石和珍珠岩组成,所述草炭土经过4~9个月的无氧发酵,发酵后用40%的甲醛溶液消毒,然后分别覆盖发酵物,1周后揭开覆盖物,翻晒;将草炭土:蛭石:珍珠岩按照1:1:1的体积比混合配制无土栽培基质;⑵播种:⑶浇水施肥:在不同生长期采用不同的浇水和施肥操作。本发明根据荆芥每个生长发育阶段对水分和养分的要求不同,对其进行科学合理的无土栽培,可有效的控制作物在发育过程中对养分、温度、光照和空气的要求,使作物生长状态最佳,无土栽培可扩大种植范围,加速作物生长,提高产量,节省人工。
搜索关键词: 一种 荆芥 无土栽培 方法
【主权项】:
一种荆芥无土栽培方法,其特征在于:其步骤为:⑴制备无土栽培基质:所述无土栽培基质由草炭土,蛭石和珍珠岩组成,所述草炭土经过4~9个月的无氧发酵,发酵后用质量分数为40%的甲醛溶液消毒,然后分别覆盖发酵物,1周后揭开覆盖物,翻晒;将草炭土:蛭石:珍珠岩按照1:1:1的体积比混合配制无土栽培基质;⑵播种:育苗移栽,育苗播种温度控制在20℃以上用育苗盘育苗,每穴播种2‑3粒,用细喷壶定期喷水,保湿,待幼苗长出3~4片真叶时,即可进行移植,每穴一株。⑶浇水施肥:在如下生长阶段的浇水频率以及施肥量分别为:缓苗期时,当基质含水量低于50.09%时浇水,施肥量为297.34~454.30mg/L基质;幼苗期时,当基质含水量低于66.83%时浇水,施肥量为297.34~454.30mg/L基质;壮苗期时,当基质含水量低于66.83%时浇水,施肥量为454.58~456.67mg/L基质;开花期时,当基质含水量低于64.34%时浇水,施肥量为454.58~456.67mg/L基质;成熟期时,当基质含水量低于64.34%时浇水,施肥量为455.51~456.67mg/L基质,即可收获;上述浇水时每次的浇水量均为250m1/L基质,施肥频率为1次/周。
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