[发明专利]控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310606952.3 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104658882A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;李国荣;杨盟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法。该方法包括如下步骤;对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至晶圆上的开口接触到晶圆的基底硅；向工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层；向工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对类聚合物膜层进行处理；对晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度。其有效减小或者消除沟槽刻蚀中刻蚀深度微负载效应。且不用增加额外工序，操作简单，用时较短。针对具体设备加工可通过时间等工艺参数进行调节控制，灵活性大。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 沟槽 深度 负载 效应 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：对进入工艺腔室的晶圆进行掩膜层刻蚀的刻蚀工艺，直至所述晶圆上的开口接触到所述晶圆的基底硅；向所述工艺腔室中通入沉积气体，进行沉积反应，在所述晶圆上沉积一层对后续刻蚀起阻挡作用的类聚合物膜层；向所述工艺腔室中通入惰性气体，在等离子体激发条件下对所述类聚合物膜层进行处理；对所述晶圆进行浅沟槽刻蚀工艺直至预设深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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