[发明专利]一种高频CMOS压控振荡器在审
| 申请号： | 201310607723.3 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103618545A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州贝克微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种直流偏置的过采样数模转换器，电压控制的振荡器电路包括一个多级环形振荡器，其中多级环形振荡器包括多个由n沟道和p沟道晶体管组成的串联反相阶段。环形振荡器通过响应控制电流信号来控制环振荡器的振荡频率。一个电压/电流转换器，将一个调谐电压输入信号转换成相应的输出电流信号，不受n沟道和p沟道晶体管的通道强度影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 cmos 压控振荡器 | ||
【主权项】：
一种高频CMOS压控振荡器，其特征是：一个压控振荡器电路包括:(a)一个多级环形振荡器,其中多级环形振荡器包括多个由n沟道和p沟道晶体管组成的串联反相阶段，环形振荡器通过响应控制电流信号来控制环振荡器的振荡频率；(b)一个电压/电流转换器，将一个调谐电压输入信号转换成相应的输出电流信号,不受n沟道和p沟道晶体管的通道强度影响；(c)流程反馈电路响应调谐电压输入信号，提供一个与p沟道和n沟道晶体管的通道强度对应的电流转存输出信号；(d)跳变点反馈端响应输出信号和电流转存输出信号，并提供一个净环电流信号作为环形振荡器端的控制电流信号,净环电流信号代表输出信号和当前转存输出信号之间的差异，响应输出缓冲区的输入阈值和环形反相器模拟值之间的平衡。
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