[发明专利]一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路无效
| 申请号： | 201310607972.2 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103595385A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;杨靖治;常虎东;刘桂明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路，该射频开关电路包括一个由GaAs MOSFET构成的自偏置开关电路，该自偏置开关电路是射频信号通路，具有两个直流电压偏置端，每个直流电压偏置端均连接有一个静电保护电路，用以防止开关由于静电带来的大电压而损坏；同时，每个直流电压偏置端还连接有一个自升压电路，用以对直流供电电压进行升压。该电路采用GaAs MOSFET器件制作开关电路，在提高射频开关速度的同时，提高了栅的动态范围，实现了低的插入损耗，提高了传统射频开关的集成性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii mosfet 器件 射频 开关电路 | ||
【主权项】：
一种III‑V族MOSFET器件的射频开关电路，其特征在于，该射频开关电路包括一个由GaAs MOSFET构成的自偏置开关电路，该自偏置开关电路是射频信号通路，具有两个直流电压偏置端，每个直流电压偏置端均连接有一个静电保护电路，用以防止开关由于静电带来的大电压而损坏；同时，每个直流电压偏置端还连接有一个自升压电路，用以对直流供电电压进行升压。
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