[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310610357.7 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104681530A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈银发;邱盈达;林光隆;杨秉丰 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一基板、第一导电柱、第二基板、第二导电柱、电性连接元件及第一包覆体。第一导电柱形成于该第一基板上。第二基板与第一基板相对配置。第二导电柱形成于第二基板上。电性连接元件连接第一导电柱的第一端面与第二导电柱的第二端面，第一端面与第二端面之间形成一间隔。第一包覆体形成于第一基板与第二基板之间并包覆第一导电柱、第二导电柱与电性连接元件。其中，第一导电柱、第二导电柱与电性连接元件构成单一导电柱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一基板；一第一导电柱，形成于该第一基板上；一第二基板，与该第一基板相对配置；一第二导电柱，形成于该第二基板上；一电性连接元件，连接该第一导电柱的一第一端面与该第二导电柱的一第二端面，该第一端面与该第二端面之间形成一间隔；以及一第一包覆体，形成于该第一基板与该第二基板之间并包覆该第一导电柱、该第二导电柱与该电性连接元件；其中，该第一导电柱、该第二导电柱与该电性连接元件构成单一导电柱。
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