[发明专利]氮化物半导体激光器元件在审
| 申请号： | 201310611160.5 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103840370A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 枡井真吾 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现提高了内部量子效率的氮化物半导体激光器元件。在氮化物半导体激光器元件中，在n型半导体层和p型半导体层之间具有活性层，上述n型半导体层具有n侧光导层，上述活性层具有两个以上阱层和设置在上述阱层之间的至少一个势垒层，上述势垒层具有带隙能量比上述n侧光导层的带隙能量高的势垒层，上述p型半导体层具有带隙能量比上述活性层中所含所有势垒层高的电子势垒层，具备配置在上述两个以上阱层之中最接近上述p型半导体层的阱层即最终阱层与上述电子势垒层之间的p侧光导层，上述p侧光导层具有：配置在上述最终阱层侧且带隙能量比上述n侧光导层低的第一区域和配置在上述电子势垒层侧且带隙能量比上述n侧光导层高的第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体激光器元件，在n型半导体层和p型半导体层之间具有活性层，上述n型半导体层具有n侧光导层，上述活性层具有：2个以上的阱层；和设置在上述阱层之间的至少1个势垒层，上述势垒层具有带隙能量比上述n侧光导层的带隙能量高的势垒层，上述p型半导体层具有带隙能量比包含在上述活性层中的所有的势垒层高的电子势垒层，具备配置在上述2个以上的阱层之中最接近上述p型半导体层的阱层即最终阱层与上述电子势垒层之间的p侧光导层，上述p侧光导层具有：配置在上述最终阱层侧且带隙能量比上述n侧光导层低的第一区域；和配置在上述电子势垒层侧且带隙能量比上述n侧光导层高的第二区域。
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