[发明专利]局部掺杂背纯化晶体硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种局部掺杂背纯化晶体硅太阳能电池及其制作方法。包括以下步骤：S1、对硅片表面清洁制绒，并在制绒后的硅片的背面镀钝化层；S2、在钝化层上设置硼扩散槽区，并利用离子注入法在硼扩散槽区内进行硼源掺杂；S3、在硅片正面依次形成p-n结和减反射膜；S4、印刷正电极和背电极并烧结，得到局部掺杂背纯化晶体硅太阳能电池。通过制作钝化膜代替现有技术中的掩膜层，省去了制作、去除掩膜层的步骤，同时结合离子注入法在钝化膜上的槽区内掺杂硼形成局部背场。通过在硼掺杂后制作p-n结的同时完成了离子注入法的退火步骤，省去了离子注入法后还需单独退火的步骤，在不降低电池性能的同时简化了局部掺杂背钝化的工艺步骤。

主权项

一种局部掺杂背纯化晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对硅片表面清洁制绒，并在制绒后的所述硅片的背面镀钝化层；S2、在所述钝化层上设置硼扩散槽区，并利用离子注入法在所述硼扩散槽区内进行硼源掺杂；S3、在所述硅片正面依次形成p‑n结和减反射膜；以及S4、印刷正电极和背电极并烧结，得到所述局部掺杂背纯化晶体硅太阳能电池。