[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201310611611.5 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103594509A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 唐武;贾东旺 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术。本发明解决了现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中，电子容易溢出沟道进入缓冲层，从而降低沟道夹断性能的问题，提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，其技术方案可概括为：一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层及AlGaN势垒层，其特征在于，还包括AlGaN背势垒层，所述AlGaN背势垒层设置在氮化镓缓冲层与氮化镓沟道层之间，所述AlGaN背势垒层中，Al原子组分含量沿氮化镓成核层向氮化镓沟道层方向由零逐渐增加至一固定数值。本发明的有益效果是，提高器件的微波性能和功率特性，适用于高电子迁移率晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层及AlGaN势垒层，其特征在于，还包括AlGaN背势垒层，所述AlGaN背势垒层设置在氮化镓缓冲层与氮化镓沟道层之间，所述AlGaN背势垒层中，Al原子与Ga原子的原子比例为x:1‑x，0
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