[发明专利]PMOS晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201310612563.1 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104681436A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种PMOS晶体管的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅介质材料层和位于伪栅介质层表面的伪栅极，所述伪栅极覆盖部分伪栅介质材料层；在半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与伪栅极的表面齐平；去除伪栅极和位于伪栅极下方的部分伪栅介质层，形成第一凹槽；对第一凹槽底部的进行等离子体注入形成注入区，所述等离子体能够增强载流子的迁移率；对注入区进行再结晶处理，去除注入区内的缺陷，使所述注入区成为沟道区；在所述第一凹槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括位于第一凹槽内壁表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极。采用上述方法可以提高PMOS晶体管的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅介质材料层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅极，所述伪栅极覆盖部分伪栅介质材料层；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与伪栅极的表面齐平；去除所述伪栅极和位于所述伪栅极下方的部分伪栅介质层，形成第一凹槽；对所述第一凹槽底部的进行等离子体注入形成注入区，所述等离子体注入所注入的离子能够增强载流子的迁移率；对所述注入区进行局部再结晶处理，去除所述注入区内的缺陷，使所述注入区成为沟道区；在所述第一凹槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括位于第一凹槽内壁表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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