[发明专利]一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法

摘要

本发明提出了一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，增加了紫外线对低介电常数薄膜下半部分处理的效果，使得致孔剂更有效地赶出，使低介电常数薄膜达到理想的介电常数，降低了两层金属之间的互连延时，提高了半导体器件的速度。

主权项

一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，应用于铜互连工艺中，其特征在于，该方法包括：提供一衬底，在所述衬底上表面由下至上依次形成第一金属阻挡层、第一金属层、第一刻蚀阻挡层和低介电常数薄膜；对所述低介电常数薄膜进行第一次紫外线处理；在第一次紫外线处理后的低介电常数薄膜上表面形成硬掩膜；光刻并刻蚀所述硬掩膜，所述低介电常数薄膜层和所述第一刻蚀阻挡层，形成大马士革结构；对所述低介电常数薄膜进行第二次紫外线处理；去除剩余的所述硬掩膜，削薄所述低介电常数薄膜；在所述大马士革结构中通孔的侧壁和底部及所述低介电常数薄膜的上表面沉积第二金属阻挡层；在所述第二金属阻挡层上表面和所述通孔中形成第二金属层，在所述第一金属层和第二金属层之间形成金属互连线。