[发明专利]一种P型晶体硅双面电池的制备方法

摘要

本发明公布了一种P型晶体硅双面电池的制备方法，本发明通过制绒和化学清洗、形成PN结、双面沉积减反射膜、背面开膜、制备电池的正负极、烧结等步骤制备出P型晶体硅双面电池。本发明相较于以往的技术而言，只需要一次掺杂，使得制备过程更加简单，避免了原有的多次高温掺杂和掩膜过程，这样简化了制备步骤，节约了制备成本；采用本发明的技术方案制备出的双面电池可以充分利用太阳的光在地面的散射光，提高太阳光的利用率，提高了电池的发电量。

主权项

一种P型晶体硅双面电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(a) 对P型单晶体硅半导体衬底制绒并进行化学清洗:选择P型硅片，对选择的P型硅片在碱液下进行表面绒面化，然后在酸性条件下进行化学清洗，除去表面杂质；（b）形成PN结，得到P型硅片前表面的N+结构：在P型硅片衬底的前表面进行磷扩散，形成PN结，或者在P型硅片衬底的前表面进行离子注入磷源，通过退火形成PN结，从而得到前表面的N+结构；（c）双面沉积减反射膜：在PN结一侧表面沉积SiNx或SiO2或SiO2/SiNx减反射膜，在PN结另一侧表面沉积Al2O3/SiNx 或SiO2/SiNx或Al2O3/ SiO2/SiNx减反射膜；（d）背面局部开膜：采用激光或者湿法刻蚀的方式进行衬底背面开膜，对局部的背面减反射膜进行去除，露出去除区域的硅衬底；（e）制备电池的正极和负极：采用印刷技术在电池的正面和背面分别印刷含银浆料和含铝浆料而形成电池的负极和正极；（f）烧结:在烧结炉中进行烧结，背面含铝浆料与开膜后露出的硅形成P+背面场，形成完整的电池片N+PP+结构。