[发明专利]具有应变沟道的半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310612752.9 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104681437A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊;俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明主要涉及半导体器件，更确切地说，涉及一种具有应变Ge沟道的半导体器件及其制备方法。先形成一绝缘层覆盖在SOI层之上，并刻蚀绝缘层形成一开口，籍由开口刻蚀其下方的SOI层、掩埋氧化层并形成位于SOI层、掩埋氧化层中的一沟槽结构，刻蚀至在沟槽结构中暴露出衬底，在由沟槽结构和开口对接形成的一栅极沟槽的底部形成一应变外延层，并在应变外延层之上形成一栅极氧化层和在栅极沟槽的顶部形成一位于栅极氧化层之上的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应变 沟道 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有应变沟道的半导体器件的制备方法，在一衬底之上依次设置有一掩埋氧化层及一SOI层，其特征在于，包括以下步骤：形成一绝缘层覆盖在SOI层之上；刻蚀绝缘层形成一开口；籍由开口刻蚀其下方的SOI层、掩埋氧化层并形成位于SOI层、掩埋氧化层中的一沟槽结构，并在沟槽结构中暴露出衬底；在由所述沟槽结构和所述开口对接形成的一栅极沟槽的底部形成一应变外延层；于应变外延层之上形成一栅极氧化层；在栅极沟槽的顶部形成一位于栅极氧化层之上的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310612752.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
- 下一篇：半导体器件和栅极的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
