[发明专利]一种制造抵消晶格的双极型晶体管

摘要

一种制造抵消晶格的双极型晶体管，用来产生多发射极垂直双极型晶体管的架构，该晶体管大体上消除了在标准晶格结构中发现的饥饿区。描述了一个“抵消晶格”的设计，在该设计中，相邻条纹里的基本接触段被移除或相互抵消。这造成发射器件相互交错，发射器件被添加到连接相邻发射条纹。结果，所有发射极的部分会面对一个基极接触，一条电流路径在基极接触和发射极之间，沿着该电流路径遇到的阻抗减小。这导致垂直双极型晶体管具有更大比例的高度激活发射极，以及较好的高频特性，并减小由晶体管基极阻抗而引起的热噪声。

主权项

一种制造抵消晶格的双极型晶体管，其特征是：一种制造双极型晶体管的方法，在给定的基极区域中，具有增加比例的激活发射极，减少的总集电极阻抗以及最小化的发射极到基极阻抗，该方法包括：形成一个第一导电型的埋层；在埋层上形成第二导电型的基极区域；形成一组基极接触，该基极接触实质上是在基极区域上平行的基极接触条纹，基极接触条纹被分为基极接触片段，这些片段有介于其中的间隙，其中相邻基极接触条纹里的基极接触片段相互抵消；在基极区域上实质平行的发射极条纹里形成一组第一导电型的发射极区，其中相邻的发射极条纹是通过发射极连接器件电连接的，发射极连接器件被安排在相邻基极接触条纹里基极接触片段的间隙之间；在埋层上且远离基极区形成一个集电极接触。