[发明专利]一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路在审
| 申请号： | 201310612899.8 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103618539A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州贝克微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路，转化电路用于把第一逻辑电平范围转化为第二逻辑电平范围，就像通常涉及到把ECL阶段转换为CMOS阶段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ecl 逻辑 电平 转化 mos bicmos 电路 | ||
【主权项】：
一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路，其特征是：把第一逻辑电平范围转换为第二逻辑电平范围的转换电路，它包括：（a）具有第一输入晶体管和第二输入晶体管的输入级，第一输入晶体管用来接收第一输入信号，第二输入晶体管用来接收第二输入信号，第二输入信号是第一输入信号的补充，第一第二输入晶体管连接到一个高电势电源导轨；（b）一个输出级，它具有一个连接到第二输出晶体管的第一输出晶体管，以及连接到第四输出晶体管的第三晶体管，其中输出级是一个CMOS输出级，第一输出晶体管和第三输出晶体管是PMOS晶体管，第二和第四输出晶体管是NMOS晶体管，第一输出晶体管连接到高电势电源轨道和所述第一输入晶体管，第二输出晶体管连接到低电势电源轨道和第四输出晶体管，第三输出晶体管连接到高电势电源轨道和第二输入晶体管，第四输出晶体管连接到低电势电源轨道；（c）参考级包括：（i）第一参考晶体管，它是一个PMOS晶体管，第一参考的源节点连接到高电势电源轨道，它的栅节点连接到第一参考晶体管的漏节点，它的漏节点通过第一电流调节器的一个双极型调节晶体管，连接到低电势电源轨道，（ii）第二参考晶体管，它是一个双极型晶体管，其集电极节点连接到高电势电源轨道，基极节点连接到第一参考晶体管的漏极节点，发射极节点连接到第一输出晶体管的栅级节点和第三输出晶体管的栅级节点。
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