[发明专利]嵌入式存储器的测试结构及方法在审

专利信息
申请号: 201310614028.X 申请日: 2013-11-26
公开(公告)号: CN103617810A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 冯华星;何文涛;殷明;周美娣;黄璐 申请(专利权)人: 中国科学院嘉兴微电子与系统工程中心
主分类号: G11C29/14 分类号: G11C29/14
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 314006 浙江省嘉兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种内嵌于SoC芯片中的嵌入式存储器的测试结构,其包括存储器内建自测试模块、系统总线和存储器内建自测试控制器。其中,存储器内建自测试模块集成了各种SRAM的测试算法,作为系统总线的主单元;存储器内建自测试控制器和SoC芯片中的SRAM阵列作为系统总线的从单元;存储器内建自测试控制器包括比较器阵列、与门、结果寄存器、第一多路选择器和第二多路选择器。本发明还提供了一种嵌入式存储器的测试方法,用于本发明的嵌入式存储器的测试结构。本发明实现了基于系统总线对SRAM阵列的并行的内建自测试,由此解决了现有技术中嵌入式存储器测试时间过长的问题,并能够极大地提高集成电路芯片测试效率。
搜索关键词: 嵌入式 存储器 测试 结构 方法
【主权项】:
一种嵌入式存储器的测试结构,内嵌于SoC芯片中,其特征在于,包括存储器内建自测试模块、系统总线和存储器内建自测试控制器,所述存储器内建自测试模块作为所述系统总线的主单元,所述存储器内建自测试控制器和所述SoC芯片中的SRAM阵列作为所述系统总线的从单元;所述存储器内建自测试模块用于对外部测试机输入的指令进行译码,生成总线控制信号发送至所述系统总线以对所述SRAM阵列进行测试。
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