[发明专利]一种铜合金半导体引线框架

摘要

本发明提供了一种铜合金半导体引线框架，其是通过镍铁磷铜沉淀强化型合金体系的组分优化，并合理控制退火温度、退火时间以及冷轧工艺参数，确定最为匹配的合金成分和加工工艺，缩短了热处理时间，提高了生产效率，同时获得兼具优异力学性能和导电性能的沉淀硬化型铜合金，随后通过成型工艺最终将其成型为半导体引线框架。

主权项

一种铜合金半导体引线框架，其由以下制备步骤得到：铜合金原材料的制备：一、配料：以重量百分比为0.15‑0.2Ni、0.15‑0.2Fe、0.09‑0.12P、0.1‑0.15Zn、0.25‑0.3Sn、余量为Cu和不可避免的杂质配取原料，其中须满足（Ni+Fe）：P=3‑3.5，所述原料为纯度为99.99%无氧铜和纯度为99.9%的各合金元素的粉末；二、熔炼：将配好的原料在氮气保护气氛下于高频炉中进行熔炼，所述熔炼为先将Cu、Zn、Sn混合置入炉中，将温度升至1230‑1250℃并持续搅拌熔体充分混合，随后加入Ni、Fe和P，继续升温至1280‑1300℃并保温进行熔炼，熔炼后浇铸铜合金锭；三、热轧加工：将铜合金锭加热到950‑980℃后进行热轧加工到所需厚度，终轧温度控制在730‑750℃；四、冷轧加工：将热轧加工的铜合金经铣面去除氧化皮后进行70‑75%压下率的冷轧加工；五、退火处理+冷轧加工：将冷轧加工得到的铜合金在570‑600℃的条件下退火处理1.5‑2min后，再次进行40‑45%压下率的冷轧加工，随后降低退火温度至530‑550℃再次退火处理1.5‑2min后，再进行40‑45%压下率的冷轧加工，随后在530‑550℃再次退火处理1.5‑2min后，再进行40‑45%压下率的冷轧加工到 所需厚度，最终在380‑400℃条件退火2‑3min得到沉淀硬化型铜合金；半导体引线框架的制备：一、冲压成型：将之前制备得到的沉淀硬化型铜合金通过冲压成型为半导体引线框架半成品；二、电镀：将经过清洗预处理的半导体引线框架半成品进行电镀处理以形成表面镀层，所述镀层为镍、钯、金、银或其合金构成的组中的至少一种；三、终成型：将经电镀处理的半导体引线框架半成品进行切片加工以最终成型。