[发明专利]一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管

摘要

一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管，形成一个导电型的外延层，包括与导电型相反的薄沟道有关的漏源区。沟道区形成该导电型薄的表面层，在漏源区的中间层表面形成高速导电接触面。接触表面可以包括其表面金属层的高掺杂多晶硅材料。接触表面和外延层下面的沟道由场效应晶体管的栅极组成。由于增加了接触表面的导电性，从而提高了运算速度。

主权项

一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管，其特征是：一种高速结型场效应晶体管包括一个导电型的硅半导体衬底区，导电型相反的第一和第二区形成在导电型的硅半导体衬底区表面，延伸到导电型的硅半导体衬底区，使相互间隔，导电型相反的第一和第二区形成高速结型场效应晶体管的一个源极和漏极，在导电型的硅半导体衬底区，导电型相反的薄沟道互联导电型相反的第一和第二区，一个导电型的薄的表面栅层覆盖在导电型相反的沟道区，并且从导电型相反的第一区延伸到第二区，导电型的薄表面栅层的接触表面延伸在导电型相反的第一和第二区之间，并且电气隔离导电型的硅半导体衬底区，导电型的薄表面栅层的接触表面包括一个导电型的多晶硅层并延伸在整个表面栅层的表面，具有的导电性比导电型的薄表面栅层的导电性强，在导电型相反的沟道区和导电型的表面栅层下面的衬底区由高速结型场效应晶体管的电隔离门和导电型的多晶硅层上的铝金属触头组成。