[发明专利]一种测量LED内量子效率的方法有效
| 申请号： | 201310616446.2 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103645033A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 魏学成;赵丽霞;张连;于治国;王军喜;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分光光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 led 量子 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，包括如下步骤：步骤S1：制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；步骤S2：将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分光光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；步骤S3：通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；步骤S4：计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；步骤S5：根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。
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