[发明专利]器件表面的保护方法在审
| 申请号： | 201310616516.4 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104671190A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;刘国安;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种器件表面的保护方法，包括：提供基底，所述基底具有第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面相对，所述第一表面形成有器件层；在所述器件层上形成保护层以保护所述器件层，所述保护层为聚合物；在所述基底的第二表面进行工艺；以及去除所述聚合物层。本发明提供的器件表面的保护方法能有效地保护器件表面，同时避免了对金属电极的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 表面 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种器件表面的保护方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有第一表面和第二表面，所述第一表面与第二表面相对，所述第一表面形成有器件层；在所述器件层上形成保护层以保护所述器件层，所述保护层为聚合物；在所述基底的第二表面进行工艺；以及去除所述保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310616516.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：深硅刻蚀方法
- 下一篇：一种半导体器件及其形成方法
