[发明专利]一种低压RB-IGBT的制备方法无效
| 申请号： | 201310616662.7 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103617955A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 滕渊;朱阳军;田晓丽;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压RB-IGBT器件的制造方法，正反两面结构通过采用双面截断型终端结构，实现RB-IGBT的双向阻断能力，与正面采用场限环等终端的RB-IGBT相比，能有效的缩小终端区占有的芯片面积，从而节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 rb igbt 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低压RB‑IGBT的制造方法,其特征在于，包含：制作所述低压RB‑IGBT的正面结构，包含有源区和主结；将所述低压RB‑IGBT的背面减薄；在位于所述主结中间的背面挖槽，槽深达到所述主结；对所述槽进行离子注入；在所述槽中央进行划片。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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