[发明专利]一种带激光修调工艺的集成电路版图结构及集成芯片有效
申请号: | 201310618430.5 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103606547B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 陈唯一;熊力嘉 | 申请(专利权)人: | 深圳市德赛微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/525 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 常跃英 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种带激光修调工艺的集成电路版图结构及集成芯片。所述版图结构包括衬底以及依次设置在衬底上的阱区、硅化物阻止区、第一金属层、第二金属层,另衬底上在阱区和硅化物阻止区的外围设置掺杂区;第一金属层覆盖阱区、硅化物阻止区和掺杂区。其中,第二金属层及第一金属层电性连接,第一金属层上设置熔丝图形,第二金属层上设置熔丝与熔丝及熔丝与集成电路内其它电路的连接线路。所述集成芯片即按照本发明所述版图结构制作而成。本发明所述版图结构设计合理,可提高芯片制作的质量与效率,保证芯片的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 工艺 集成电路 版图 结构 集成 芯片 | ||
【主权项】:
一种带激光修调工艺的集成电路版图结构,包括衬底(1)以及设置在衬底(1)上的第一金属层,其特征在于:所述第一金属层(4)上设置可激光修调的熔丝图形, 第一金属层与衬底(1)之间增设阱区(2),所述阱区(2)嵌入衬底(1)内,该阱区(2)做浮空处理,不接任何电位,还包括设置在阱区(2)与第一金属层之间的硅化物阻止区 SAB(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的