[发明专利]集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，具有相对的正面和背面，作为IGBT器件的场截止区；位于半导体衬底正面上的外延层，外延层的背面与半导体衬底的正面贴合，外延层具有第一掺杂类型，外延层作为IGBT器件的漂移区；IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极，形成于外延层的正面，基区具有第二掺杂类型，发射区具有第一掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第二掺杂类型的集电区，位于场截止区的背面；具有第一掺杂类型的二极管接触区，位于场截止区的背面。本发明的功率半导体器件具有开关安全工作区宽、鲁棒性强以及制造成本低等优点。

主权项

一种集成续流二极管的功率半导体器件，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面，所述半导体衬底作为IGBT器件的场截止区；位于所述半导体衬底正面上的外延层，所述外延层的背面与所述半导体衬底的正面贴合，所述外延层具有第一掺杂类型，所述外延层作为IGBT器件的漂移区；IGBT器件的基区、发射区、栅介质层和栅极，形成于所述外延层的正面，所述基区具有第二掺杂类型，所述发射区具有第一掺杂类型，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第二掺杂类型的集电区，位于所述场截止区的背面；具有第一掺杂类型的二极管接触区，位于所述场截止区的背面。