[发明专利]一种空间单粒子烧毁效应在轨监测装置及方法有效

专利信息
申请号: 201310619055.6 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN103698679A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 薛玉雄;安恒;杨生胜;把得东;汤道坦;马亚莉;柳青;曹洲 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R19/00;G01R29/02
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 李之壮;仇蕾安
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明属于空间辐射效应及加固技术领域,具体涉及一种空间单粒子烧毁效应在轨监测装置及方法。该监测装置包括高压直流可编程电源、限流保护电阻RB、功率MOSFET、电荷灵敏放大器、对数转换器、脉冲高度分析仪;所述电荷灵敏放大器包括限流电阻RL、反馈电阻RF、去耦电容CD、去耦电容CF、电压保持电容CH和运算放大器;该监测方法能够实现空间单粒子烧毁的非破坏性测试,为进一步在模拟源条件下获取单粒子烧毁特征参数提供一种可行的非破坏性监测方法,可全面表征单粒子烧毁效应的特征信息,为空间辐射效应防护设计提供参考。
搜索关键词: 一种 空间 粒子 烧毁 效应 监测 装置 方法
【主权项】:
一种空间单粒子烧毁效应在轨监测装置,其特征在于:包括高压直流可编程电源、限流保护电阻RB、功率MOSFET、电荷灵敏放大器、对数转换器、脉冲高度分析仪; 所述电荷灵敏放大器包括限流电阻RL、反馈电阻RF、去耦电容CD、去耦电容CF、电压保持电容CH和运算放大器; 其连接关系在于:所述限流保护电阻RB的一端与所述高压直流可编程电源相连,所述限流保护电阻RB的另一端与所述功率MOSFET的漏极D相连,所述功率MOSFET的栅极G和源极S接地线,所述限流电阻RL的一端与所述功率MOSFET的漏极D相连,所述限流电阻RL的另一端与所述去耦电容CD的一端相连,所述去耦电容CD的另一端分成四路分别与所述限流电阻RF、去耦电容CF、运算放大器的反相端和电压保持电容CH的一端相连,所述限流电阻RF、去耦电容CF的另一端与所述运算放大器的输出端相连,所述电压保持电容CH的另一端、运算放大器的同相端接电线,所述对数转换器的一端与所述运算放大器的输出端相连,所述对数转换器的另一端与所述脉冲高度分析仪相连。
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