[发明专利]一种背结背接触晶体硅太阳电池制作方法

摘要

本发明涉及太阳能技术领域，尤其是一种基于传统领域的背结背接触晶体硅太阳电池制作方法，包括步骤：选择硅片、单面制绒、背表面硼扩散、背面扩散掩膜沉积、背面区域图案化、双面磷扩散、介质膜及磷硅玻璃去除、前表面及背表面介质膜的沉积、介质膜开孔、丝网印刷背面的接触浆料、烧结。本发明通过将背结背接触电池的正、负电极均制作于硅片的背面，有效减少遮光面积，增加生光电流，提高太阳能电池的使用效率。

主权项

一种背结背接触晶体硅太阳电池制作方法，其特征在于，包括步骤：（a）准备：选择需要的硅衬底（1）材料；（b）单面制绒、单面抛光：对硅衬底（1）的前表面作制绒处理，对其背表面进行抛光处理；（c）背表面硼扩散；（d）背面扩散掩膜沉积：采用印刷或者PECVD方式在硅衬底（1）背面沉积介质膜（2）；（e）背面区域图案化：采用激光或印刷腐蚀性浆料开孔方法对硅衬底（1）背面开孔P型及N型区域；（f）双面磷扩散：对硅衬底（1）进行磷扩散，使其形成背结背接触的前表面场及背表面场；（g）去除介质膜（2）及磷硅玻璃；（h）前表面及背表面介质膜（2）沉积；（i）背接触区域介质膜（2）开孔：采用激光或者印刷腐蚀性浆料的方式实现背面接触区域介质膜（2）的开孔；（j）印刷、烧结。