[发明专利]一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310624078.6 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103613094A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 朱大明;魏合林;袁利利;刘雨昊;易林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C01B31/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括S1对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2向管式炉中通入惰性气体；S3对管式炉进行升温处理使其达到750℃～1000℃并保持10分钟～50分钟，向管式炉中通入氢气，并对金属镍片衬底进行热处理；S4向管式炉中通入流量为20sccm～100sccm的碳氢化合物，使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解以及镍片溶碳后同时生长石墨烯和非晶碳薄膜；S5对管式炉进行降温处理，并将生长有石墨烯和非晶碳薄膜的镍片浸泡在腐蚀液中腐蚀掉衬底镍片后获得石墨烯和多孔非晶碳薄膜。本发明以碳氢化合物为碳源，通过控制高温条件下碳源在衬底镍片表面的吸附裂解和镍片内溶入碳原子能够同时获得石墨烯和非晶碳薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 制备 石墨 多孔 非晶碳 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2：向所述管式炉中通入惰性气体；S3：对所述管式炉进行升温处理使其达到750℃～1000℃并保持10分钟～50分钟，向所述管式炉中通入氢气，并对所述金属镍片衬底进行热处理；S4：向所述管式炉中通入流量为20sccm～100sccm的碳氢化合物，使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解以及镍片溶碳后同时生长石墨烯和非晶碳薄膜；S5：对所述管式炉进行降温处理，并将生长有石墨烯和非晶碳薄膜的镍片浸泡在腐蚀液中腐蚀掉衬底镍片后获得石墨烯和多孔非晶碳薄膜。
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