[发明专利]一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310624301.7 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN103643217A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 魏合林;朱大明;刘宇昊 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/52;C23C16/56 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法,包括下述步骤:S1:对金属镍片衬底进行超声清洗,并烘干后放置于管式炉中;S2:向所述管式炉中通入惰性气体;S3:对所述管式炉进行升温处理使其达到600℃-720℃,向所述管式炉中通入氢气,并对所述金属镍片衬底进行热处理;S4:向所述管式炉中通入碳氢化合物,使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解后生长非晶碳薄膜;S5:对所述管式炉进行降温处理,并将生长有非晶碳薄膜的镍片浸泡在腐蚀液中腐蚀掉衬底镍片后获得自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜。采用本发明制备方法对环境温度要求不高,制备得到的非晶碳薄膜具有多孔结构和自支撑结构,可以很方便转移至任何衬底。 | ||
搜索关键词: | 一种 支撑 石墨 多孔 非晶碳 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:S1:对金属镍片衬底进行超声清洗,并烘干后放置于管式炉中;S2:向所述管式炉中通入惰性气体;S3:对所述管式炉进行升温处理使其达到600℃‑720℃,向所述管式炉中通入氢气,并对所述金属镍片衬底进行热处理;S4:向所述管式炉中通入碳氢化合物,使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解后生长非晶碳薄膜;S5:对所述管式炉进行降温处理,并将生长有非晶碳薄膜的镍片浸泡在腐蚀液中腐蚀掉衬底镍片后获得自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的